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SOI制造技術
TM-SOI
硅基科技公司采用具有自主知識產(chǎn)權的TM-SOI薄膜轉(zhuǎn)移技術，利用低溫微波氛圍將注入的氫離子激活，實現(xiàn)行業(yè)較先進的“硅片鍵合+薄膜轉(zhuǎn)移”的裂片工藝，制造高質(zhì)量、膜厚均勻的SOI晶圓片。
薄膜產(chǎn)品包括薄膜SOI（device layer>100nm）和超薄膜SOI(device layer <100nm)。
TM+EPI SOI
利用公司自有的TM-SOI薄膜轉(zhuǎn)移技術與外延技術相結合，實現(xiàn)TM-SOI硅片的器件層增厚，制造優(yōu)質(zhì)的外延SOI晶圓片。同時，外延技術可以與TM-SOI技術結合，制備用于65nm-14nm節(jié)點采用的sSOI、Ge等相關的先進材料。
Bonded SOI
在傳統(tǒng)的鍵合SOI工藝基礎上，采用高精度加工設備，實現(xiàn)更好的器件層厚度精度，從而改善片內(nèi)均勻性和提高產(chǎn)品性能。
硅基科技與客戶合作加工圖形SOI，由客戶提供有圖形的襯底片，進行后續(xù)的鍵合、頂層磨拋工藝，形成完整的結構。